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MTB1N100E spec: TMOS E-FET high energy power FET
MTB1N100E Datasheet et spécifications
Fabricant : Motorola
Emballage : DPAK
Pins : 4
Température : Min -55 °C | Max 150 °C
Taille : 281 KB
Application : TMOS E-FET high energy power FET
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