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NTE3312 spec: Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.
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NTE3312 spec: Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.
Fabricant : NTE Electronic
Emballage :
Pins : 3
Température : Min 0 °C | Max 150 °C
Taille : 19 KB
Application : Insulated gate bipolar transistor. N-channel enhancement mode, high speed switch.