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NTE5875 spec: Silicon power rectifier diode. Anode to case. Max repetitive peak reverse voltage 200V. Average forward current 12A.
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NTE5875 spec: Silicon power rectifier diode. Anode to case. Max repetitive peak reverse voltage 200V. Average forward current 12A.
Fabricant : NTE Electronic
Emballage : DO4
Pins : 2
Température : Min -65 °C | Max 175 °C
Taille : 26 KB
Application : Silicon power rectifier diode. Anode to case. Max repetitive peak reverse voltage 200V. Average forward current 12A.