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IRF830 spec: 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
IRF830 Datasheet et spécifications
Fabricant : Philips
Emballage : SOT
Pins : 3
Température : Min -55 °C | Max 150 °C
Taille : 63 KB
Application : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
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