PHT4NQ10LT similaires

  • PHT4NQ10LT
    • 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHT4NQ10T
    • 100 V, N-channel trenchMOS transistor

PHT4NQ10LT Datasheet et spécifications

Fabricant : Philips 

Emballage : SOT 

Pins : 3 

Température : Min -65 °C | Max 175 °C

Taille : 381 KB

Application : 100 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor 

PHT4NQ10LT PDF Download