F1034 spec: 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1034 similaires

F1034
- 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1034 Datasheet et spécifications

Fabricant : Polyfet RF

Emballage :

Pins : 4

Température : Min -65 °C | Max 150 °C

Taille : 34 KB

Application : 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor