F1120 spec: 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1120 similaires

F1120
- 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1120 Datasheet et spécifications

Fabricant : Polyfet RF

Emballage :

Pins : 4

Température : Min -65 °C | Max 150 °C

Taille : 48 KB

Application : 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor