F1260 spec: "60 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

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F1260
- "60 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

F1260 Datasheet et spécifications

Fabricant : Polyfet RF

Emballage :

Pins : 6

Température : Min -65 °C | Max 150 °C

Taille : 41 KB

Application : "60 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"