F1280 spec: 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

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F1280
- 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1280 Datasheet et spécifications

Fabricant : Polyfet RF

Emballage :

Pins : 6

Température : Min -65 °C | Max 150 °C

Taille : 42 KB

Application : 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor