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L8801P spec: 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8801P Datasheet et spécifications
Fabricant : Polyfet RF
Emballage : SO-8
Pins : 8
Température : Min -65 °C | Max 150 °C
Taille : 43 KB
Application : 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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