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LQ801 spec: 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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LQ801 Datasheet et spécifications
Fabricant : Polyfet RF
Emballage :
Pins : 4
Température : Min -65 °C | Max 150 °C
Taille : 38 KB
Application : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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