Chemin:OKDatasheet > Fiche de Semi-conducteurs > Polyfet RF Datasheet > LX401
LX401 spec: 60 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LX401 similaires
- LX401
- 60 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LX401 Datasheet et spécifications
Fabricant : Polyfet RF
Emballage :
Pins : 2
Température : Min -65 °C | Max 150 °C
Taille : 40 KB
Application : 60 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LX401 PDF Download