LX802 similaires

  • LX802
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • LX803
    • 45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LX802 Datasheet et spécifications

Fabricant : Polyfet RF 

Emballage :  

Pins : 2 

Température : Min -65 °C | Max 150 °C

Taille : 40 KB

Application : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LX802 PDF Download