P281 spec: 2.5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

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P281
- 2.5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P281 Datasheet et spécifications

Fabricant : Polyfet RF

Emballage : SO-8

Pins : 8

Température : Min -65 °C | Max 150 °C

Taille : 41 KB

Application : 2.5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor