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S8201 spec: 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
S8201 Datasheet et spécifications
Fabricant : Polyfet RF
Emballage :
Pins : 8
Température : Min -65 °C | Max 150 °C
Taille : 40 KB
Application : 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
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