SH703 similaires

  • SH702
    • 90 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SH703
    • 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SH703 Datasheet et spécifications

Fabricant : Polyfet RF 

Emballage :  

Pins : 4 

Température : Min -65 °C | Max 150 °C

Taille : 40 KB

Application : 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

SH703 PDF Download