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SP201 spec: "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
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SP201 spec: "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
Fabricant : Polyfet RF
Emballage :
Pins : 2
Température : Min -65 °C | Max 150 °C
Taille : 37 KB
Application : "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"