SR341 similaires

  • SR341
    • 300 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • SR341
    • 300 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

SR341 Datasheet et spécifications

Fabricant : Polyfet RF 

Emballage :  

Pins : 4 

Température : Min -65 °C | Max 150 °C

Taille : 39 KB

Application : 300 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

SR341 PDF Download