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IRF822FI spec: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A
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IRF822FI Datasheet et spécifications
Fabricant : ST Microelectronics
Emballage : ISOWATT220
Pins : 3
Température : Min -65 °C | Max 150 °C
Taille : 185 KB
Application : N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A
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