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BULD25DR spec: 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
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BULD25DR spec: 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
Fabricant : Transys
Emballage :
Pins : 8
Température : Min -65 °C | Max 150 °C
Taille : 741 KB
Application : 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode