BF960 similaires

  • BF960
    • N-channel dual gate MOS-fieldeffect tetrode
  • BF961
    • N-Channel depletion mode dual-gate Si-MOSFET RF transistor
  • BF964S
    • N-Channel depletion mode dual-gate Si-MOSFET RF transistor

BF960 Datasheet et spécifications

Fabricant : Vishay 

Emballage : TO-50 

Pins : 4 

Température : Min -55 °C | Max 150 °C

Taille : 626 KB

Application : N-channel dual gate MOS-fieldeffect tetrode 

BF960 PDF Download