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BC263 spec: 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
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BC263 spec: 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
Fabricant : Micro Electronics
Emballage : TO-18
Pins : 3
Température : Min -65 °C | Max 200 °C
Taille : 103 KB
Application : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor