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| Partie n | Application |
|---|---|
| 1N5820 | 20 V, 3 A, schottky barrier diode |
| P4KE39A | 39 V, 1 mA, 400 W, transient voltage suppressor |
| FM405 | 600 V, 1 A, glass passivated SMA diode |
| MMBT2222LT1 | 30 V, general purpose transistor |
| P6KE15A | 15 V, 1 mA, 600 W, transient voltage suppressor |
| 1N5254D | 27 V, 4.6 mA, zener diode |
| M1MA151WAT1 | 40 V, 100 mA, common anode silicon dual switching diode |
| BZX84C4V7LT1 | 4.7 V, 225 mW, semiconductor |
| BC848CWT1 | 30 V, general purpose transistor |
| HER303G | 200 V, 3 A, high efficiency GPP diode |
| BR610 | 1000 V, 6 A, bridge rectifier |
| 05WS3B | 400 mW, 5 mA, zener diode |
| MTZJ39D | 39 V, 5 mA, zener diode |
| SMAJ5.0 | 5.0 V, 10 mA, transient voltage suppressor |
| DTC144EKA | 50 V, digital transistor |
| FR106G | 800 V, 1 A fast GPP diode |
| P6KE150 | 150 V, 1 mA, 600 W, transient voltage suppressor |
| SMAJ54 | 54 V, 1 mA, transient voltage suppressor |
| 1N5272D | 110 V, 1.1 mA, zener diode |
| D15SB80 | 800 V, 15 A, bridge rectifier |
| 1N4753A | 36 V, zener diode |
| KBPC602 | 200 V, 6 A, bridge rectifier |
| P6KE220 | 220 V, 1 mA, 600 W, transient voltage suppressor |
| BZX84C8V2LT1 | 8.2 V, 225 mW, semiconductor |
| RS401 | 50 V, 4 A, bridge rectifier |
| 1N4372A | 3 V, 20 mA, zener diode |
| SA36 | 36 V, 1 mA, 500 W, transient voltage suppressor |
| FR107P | 1000 V, 1 A, fast recovery diode |
Leshan Radio Profil
Leshan Radio Company Co., Ltd.